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GermanySIHB16N50C-E3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIHB16N50C-E3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
15 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB16
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SIHB16N50C-E3DKR-ND
SIHB16N50C-E3-ND
SIHB16N50C-E3CT-ND
SIHB16N50C-E3CT
SIHB16N50C-E3TR
SIHB16N50C-E3DKRINACTIVE
SIHB16N50C-E3CTINACTIVE
SIHB16N50C-E3DKR
742-SIHB16N50C-E3
SIHB16N50C-E3TR-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB16N50C-E3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SIH(P,B,F)16N50C)
PCN Assembly/Origin
1(SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014)
HTML Datasheet
1(SIH(P,B,F)16N50C)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1000
Prezzo unitario: $3.21018
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1000
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1000
Sostituti
Parte n. : STB14NM50N
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 693
Prezzo unitario. : $3.89000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 693
Prezzo unitario. : $3.89000
Tipo sostitutivo. : Similar