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GermanyBSM180D12P2C101
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSM180D12P2C101
DESCRIZIONE
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
PRODUTTORE
Rohm Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
17 Weeks
MODELLO EDACAD
BSM180D12P2C101 Models
PACCHETTO STANDARD
12
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 10V
Power - Max
1130W
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM180
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSM180D12P2C101)
Other Related Documents
1(SiCPMCtype Inner Structure)
Product Training Modules
()
Video File
()
Environmental Information
()
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(BSM180D12P2C101)
EDA Models
1(BSM180D12P2C101 Models)
Simulation Models
1(BSM180D12P2C101 Spice Model)
Reliability Documents
1(SiC PM Reliability Test)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $454.409
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $472.16
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-