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China
Germany2SA1253T-SPA-ON
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SA1253T-SPA-ON
DESCRIZIONE
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250MHz Through Hole 3-SPA
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,664
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
3-SSIP
Supplier Device Package
3-SPA
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
HTSUS
0000.00.0000
Altri nomi
2156-2SA1253T-SPA-ON
ONSONS2SA1253T-SPA
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SA1253T-SPA-ON
Documenti e supporti
-
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 2664
Prezzo unitario: $0.11
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 2664
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 2664
Sostituti
-