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GermanySI4446DY-T1-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI4446DY-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 40 V 3.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
SI4446
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SI4446DY-T1-GE3CT
SI4446DY-T1-GE3TR
SI4446DY-T1-GE3DKR
SI4446DYT1GE3
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI4446DY-T1-GE3
Documenti e supporti
PCN Obsolescence/ EOL
1(PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013)
HTML Datasheet
1(SI4446DY)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SI4840BDY-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 12,337
Prezzo unitario. : $1.60000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 12,337
Prezzo unitario. : $1.60000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : DMN4034SSS-13
Produttore. : Diodes Incorporated
Quantità disponibile. : 9,149
Prezzo unitario. : $0.72000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 9,149
Prezzo unitario. : $0.72000
Tipo sostitutivo. : Similar