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GermanyFQB19N10LTM
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQB19N10LTM
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 19A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
503
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-FQB19N10LTM
FAIFSCFQB19N10LTM
2156-FQB19N10LTM-FSTR-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQB19N10LTM
Documenti e supporti
Datasheets
1(FQB19N10LTM)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 503
Prezzo unitario: $0.6
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 503
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 503
Sostituti
-