Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI4178DY-T1-E3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 12A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
SI4178DY-T1-E3 Models
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
405 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.4W (Ta), 5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
SI4178

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI4178DY-T1-E3

Documenti e supporti

PCN Assembly/Origin
1(Manufacturing Capacity Expansion 27/Jul/2023)
HTML Datasheet
1(SI4178DY-T1-E3)
EDA Models
1(SI4178DY-T1-E3 Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : SI4178DY-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 2,500
Prezzo unitario. : $0.61000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : CWDM3011N TR13 PBFREE
Produttore. : Central Semiconductor Corp
Quantità disponibile. : 2,748
Prezzo unitario. : $0.63000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : DMG4496SSS-13
Produttore. : Diodes Incorporated
Quantità disponibile. : 18,354
Prezzo unitario. : $0.44000
Tipo sostitutivo. : Similar