English
Spain
Rusia
China
GermanyIPU103N08N3 G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPU103N08N3 G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 80 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.3mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IPU103N
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IPU103N08N3G
SP000521640
IPU103N08N3 G-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPU103N08N3 G
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPU103N08N3 G)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPU103N08N3 G)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRFU3607PBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 2,743
Prezzo unitario. : $1.60000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 2,743
Prezzo unitario. : $1.60000
Tipo sostitutivo. : Similar