Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
RN1115MFV,L3F
DESCRIZIONE
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
RN1115MFV,L3F Models
PACCHETTO STANDARD
8,000

Specifiche tecniche

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Not For New Designs
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - Transition
250 MHz
Power - Max
150 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-723
Supplier Device Package
VESM
Base Product Number
RN1115

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Altri nomi

RN1115MFVL3FDKR
RN1115MFV,L3F(T
RN1115MFV,L3F(B
RN1115MFVL3FTR
RN1115MFVL3FCT

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage RN1115MFV,L3F

Documenti e supporti

Datasheets
1(RN1114-18MFV)
EDA Models
1(RN1115MFV,L3F Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 200000
Prezzo unitario: $0.01478
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 8000
QUANTITÀ: 56000
Prezzo unitario: $0.01778
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 8000
QUANTITÀ: 24000
Prezzo unitario: $0.02055
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 8000
QUANTITÀ: 16000
Prezzo unitario: $0.02222
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 8000
QUANTITÀ: 8000
Prezzo unitario: $0.02611
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 8000

Sostituti

-