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GermanyFQB2N90TM
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQB2N90TM
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 900 V 2.2A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FQB2N90TM Models
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
FQB2
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQB2N90TM
Documenti e supporti
Datasheets
1(FQB2N90, FQI2N90)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
HTML Datasheet
1(FQB2N90, FQI2N90)
EDA Models
1(FQB2N90TM Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRF540NSTRLPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 18,998
Prezzo unitario. : $1.50000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 18,998
Prezzo unitario. : $1.50000
Tipo sostitutivo. : Similar