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GermanySUP53P06-20-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SUP53P06-20-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 60 V 9.2A (Ta), 53A (Tc) 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
SUP53P06-20-GE3 Models
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.2A (Ta), 53A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SUP53
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SUP53P06-20-GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SUP53P06-20)
EDA Models
1(SUP53P06-20-GE3 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SUP53P06-20-E3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 3,532
Prezzo unitario. : $2.80000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 3,532
Prezzo unitario. : $2.80000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : SPP80P06PHXKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 4,684
Prezzo unitario. : $3.77000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 4,684
Prezzo unitario. : $3.77000
Tipo sostitutivo. : Similar