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Spain
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China
GermanyIXTY06N120P
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXTY06N120P
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 1200V 90A TO252
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1200 V 90A (Tc) Surface Mount TO-252AA
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTY06N120P
Documenti e supporti
-
Quantità Prezzo
-
Sostituti
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