IXTY06N120P

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

IXTY06N120P

DESCRIZIONE

MOSFET N-CH 1200V 90A TO252

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

N-Channel 1200 V 90A (Tc) Surface Mount TO-252AA

PRODUTTORE

IXYS

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

STOCK FORNITORI

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Specifiche tecniche

Mfr

IXYS

Series

-

Package

Tube

Product Status

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

90A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

-

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

-

Operating Temperature

-

Mounting Type

Surface Mount

Supplier Device Package

TO-252AA

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTY06N120P

Documenti e supporti

-

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-

SIT3373AI-2E2-28NC250.000000 SN74HCT139DR FW-25-05-LM-D-500-160-P XHP35B-H0-0000-0D0UA40E4 EE-SH3-G

IXTY06N120P

Panoramica del numero di parte

Specifiche tecniche

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altri nomi

Categoria

Documenti e supporti

Quantità Prezzo

Sostituti

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