Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPB65R065C7ATMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ P6
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
557 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
171W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IPB65R

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SP001080110
2156-IPB65R065C7ATMA1TR

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPB65R065C7ATMA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPB65R065C7)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPB65R065C7)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C7 Spice Model)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IPB65R065C7ATMA2
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 5,217
Prezzo unitario. : $8.06000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : STB37N60DM2AG
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 460
Prezzo unitario. : $6.40000
Tipo sostitutivo. : Direct