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Germany2SC3585-T1B-A
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SC3585-T1B-A
DESCRIZIONE
NPN TRANSISTOR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
833
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
10V
Frequency - Transition
10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.8dB @ 2GHz
Gain
9dB
Power - Max
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max)
35mA
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT23-3 (TO-236)
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
RENRNS2SC3585-T1B-A
2156-2SC3585-T1B-A-RETR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SC3585-T1B-A
Documenti e supporti
Datasheets
1(2SC3585)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 833
Prezzo unitario: $0.36
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 833
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 833
Sostituti
-