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GermanyIRFH5025TR2PBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFH5025TR2PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 250 V 3.8A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
IRFH5025TR2PBF Models
PACCHETTO STANDARD
400
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2150 pF @ 50 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerVDFN
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IRFH5025TR2PBFTR
SP001563928
IRFH5025TR2PBFDKR
IRFH5025TR2PBFCT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH5025TR2PBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRFH5025PBF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFH5025PBF)
EDA Models
1(IRFH5025TR2PBF Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SI7190DP-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 5,620
Prezzo unitario. : $1.97000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 5,620
Prezzo unitario. : $1.97000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : TPH1110FNH,L1Q
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 11,610
Prezzo unitario. : $1.75000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 11,610
Prezzo unitario. : $1.75000
Tipo sostitutivo. : Similar