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Germany2SD600KF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SD600KF
DESCRIZIONE
BIP NPN 1A 100V
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 1 A 130MHz 1 W Through Hole TO-126
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,902
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 50mA, 5V
Power - Max
1 W
Frequency - Transition
130MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
2156-2SD600KF
ONSONS2SD600KF
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SD600KF
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1902
Prezzo unitario: $0.16
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1902
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1902
Sostituti
-