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GermanyFQP6N60C
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQP6N60C
DESCRIZIONE
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
353
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Altri nomi
2156-FQP6N60C
FAIFSCFQP6N60C
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQP6N60C
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 353
Prezzo unitario: $0.85
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 353
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 353
Sostituti
-