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GermanyIGT40R070D1ATMA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IGT40R070D1ATMA1
DESCRIZIONE
GAN HV
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 400 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolGaN™
Package
Bulk
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (Max)
-10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
382 pF @ 320 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-3
Package / Case
8-PowerSFN
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
448-IGT40R070D1ATMA1
SP001998280
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IGT40R070D1ATMA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IGT40R070D1)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IGT60R070D1ATMA4
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 2,958
Prezzo unitario. : $13.07000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 2,958
Prezzo unitario. : $13.07000
Tipo sostitutivo. : Similar