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GermanyFQB9N25CTM
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQB9N25CTM
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 3.13W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
452
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
710 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 74W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-FQB9N25CTM
2156-FQB9N25CTM-FSTR-ND
FAIFSCFQB9N25CTM
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQB9N25CTM
Documenti e supporti
Datasheets
1(FQB9N25CTM)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 452
Prezzo unitario: $0.66
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 452
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 452
Sostituti
-