Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF7805PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
95

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

INFINFIRF7805PBF
2156-IRF7805PBF-IT
SP001575274

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF7805PBF

Documenti e supporti

Datasheets
1(IRF7805PbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
()
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(IRF7805PbF)
Simulation Models
1(IRF7805TRPBF Saber Model)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : FDS6680A
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 10,000
Prezzo unitario. : $0.90000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : FDS8880
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 16,166
Prezzo unitario. : $0.80000
Tipo sostitutivo. : Similar