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GermanyBUH51G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BUH51G
DESCRIZIONE
TRANS NPN 500V 3A TO126
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 500 V 3 A 23MHz 50 W Through Hole TO-126
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
BUH51G Models
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
SWITCHMODE™
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
8 @ 1A, 1V
Power - Max
50 W
Frequency - Transition
23MHz
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126
Base Product Number
BUH51
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
ONSONSBUH51G
2156-BUH51G-ON
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi BUH51G
Documenti e supporti
Datasheets
1(BUH51)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 14/Apr/2010)
HTML Datasheet
1(BUH51)
EDA Models
1(BUH51G Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-