Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPD65R660CFDATMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
615 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
62.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD65R660

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

IPD65R660CFDATMA1-ND
SP001117748
448-IPD65R660CFDATMA1TR

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD65R660CFDATMA1

Documenti e supporti

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Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IPD65R660CFDATMA2
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 1,827
Prezzo unitario. : $1.55000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended
Parte n. : AOD7S65
Produttore. : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Quantità disponibile. : 2,492
Prezzo unitario. : $1.50000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IXTY4N65X2
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 70
Prezzo unitario. : $2.66000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : STD9N60M2
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 1,200
Prezzo unitario. : $1.25000
Tipo sostitutivo. : Similar