IXFR12N120P

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

IXFR12N120P

DESCRIZIONE

MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

N-Channel 1200 V Through Hole ISOPLUS247™

PRODUTTORE

IXYS

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

STOCK FORNITORI

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Specifiche tecniche

Mfr

IXYS

Series

HiPerFET™, Polar

Package

Tube

Product Status

Active

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

-

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

-

Operating Temperature

-

Mounting Type

Through Hole

Supplier Device Package

ISOPLUS247™

Package / Case

TO-247-3

Base Product Number

IXFR12

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

California Prop 65

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFR12N120P

Documenti e supporti

Environmental Information

1(Ixys IC REACH)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-

387-009-520-608 CX10S-CHACGD-P-A-DK00000 1808Y6K00470FCT DC0011/06-TG-AH482-2.0-0 MS27467T21B11S

IXFR12N120P

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Classificazioni ambientali e di esportazione

Altri nomi

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