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GermanyIRFS4228TRLPBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFS4228TRLPBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 150 V 83A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
800
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4530 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP001578280
IRFS4228TRLPBFTR
IRFS4228TRLPBFCT
IRFS4228TRLPBFDKR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFS4228TRLPBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRFS(L)4228PbF)
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Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Design/Specification
1(Material Chg 24/Nov/2015)
HTML Datasheet
1(IRFS(L)4228PbF)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SQM85N15-19_GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $3.50000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $3.50000
Tipo sostitutivo. : Similar