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GermanyBD810G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BD810G
DESCRIZIONE
TRANS PNP 80V 10A TO220
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A 1.5MHz 90 W Through Hole TO-220
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
BD810G Models
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 4A, 2V
Power - Max
90 W
Frequency - Transition
1.5MHz
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220
Base Product Number
BD810
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-BD810G-OS
ONSONSBD810G
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi BD810G
Documenti e supporti
Datasheets
1(BD809,810)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 08/Jul/2021)
PCN Design/Specification
1(TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014)
PCN Assembly/Origin
1(Bipolar Power Transistor TO220 Pkg Assembly & Test 16/Oct/2015)
HTML Datasheet
1(BD809,810)
EDA Models
1(BD810G Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : 2N6491G
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 1,356
Prezzo unitario. : $0.99000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 1,356
Prezzo unitario. : $0.99000
Tipo sostitutivo. : Similar