Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFHM792TRPBF
DESCRIZIONE
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
4,000

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
251pF @ 25V
Power - Max
2.3W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Base Product Number
IRFHM792

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SP001554848
448-IRFHM792TRPBFTR
448-IRFHM792TRPBFDKR
IRFHM792TRPBF-ND
448-IRFHM792TRPBFCT

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies IRFHM792TRPBF

Documenti e supporti

Datasheets
1(IRFHM792TR(2)PbF)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
PCN Other
1(Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022)
HTML Datasheet
1(IRFHM792TR(2)PbF)
Simulation Models
1(IRFHM792TR2PBF Saber Model)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : SI7922DN-T1-E3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 1,485
Prezzo unitario. : $1.70000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : SI7922DN-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 42,035
Prezzo unitario. : $1.70000
Tipo sostitutivo. : Similar