Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
PML260SN,118
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 8.8A DFN3333-8
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 8.8A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
PRODUTTORE
Nexperia USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,400

Specifiche tecniche

Mfr
Nexperia USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
294mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
657 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DFN3333-8
Package / Case
8-VDFN Exposed Pad

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

568-9716-6
568-9716-1-ND
PML260SN118
1727-7220-1
568-9716-2-ND
934059981118
568-9716-6-ND
1727-7220-6
1727-7220-2
PML260SN,118-ND
PML260SN /T3
PML260SN /T3-ND
568-9716-1
568-9716-2

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Nexperia USA Inc. PML260SN,118

Documenti e supporti

Datasheets
1(PML260SN)
PCN Obsolescence/ EOL
1(EOL 02/Dec/2016)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(PML260SN)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : BSZ22DN20NS3GATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 12,806
Prezzo unitario. : $1.20000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : FQD12N20LTM
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.87000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : SI7820DN-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 11,930
Prezzo unitario. : $1.49000
Tipo sostitutivo. : Similar