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GermanyKSH112ITU
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
KSH112ITU
DESCRIZIONE
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
KSH112ITU Models
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Power - Max
1.75 W
Frequency - Transition
25MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package
I-PAK
Base Product Number
KSH11
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi KSH112ITU
Documenti e supporti
Datasheets
1(KSH112)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
EDA Models
1(KSH112ITU Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : MJD112-1G
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 153
Prezzo unitario. : $1.03000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 153
Prezzo unitario. : $1.03000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent