Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SFH9250L
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 200V 19.5A TO3P
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 200 V 19.5A (Tc) 204W (Tc) Through Hole TO-3P
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 9.8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3250 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
204W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
SFH925

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi SFH9250L

Documenti e supporti

Datasheets
1(SFH9250L)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(SFH9250L)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-