Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
LSIC1MO120E0160
DESCRIZIONE
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247AD
PRODUTTORE
Littelfuse Inc.
INIZIATIVA STANDARD
89 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
30

Specifiche tecniche

Mfr
Littelfuse Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
LSIC1MO120

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Altri nomi

F11005
-LSIC1MO120E0160

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Littelfuse Inc. LSIC1MO120E0160

Documenti e supporti

Datasheets
1(LSIC1MO120E0160 Datasheet)
Video File
1(1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET)
Featured Product
()
PCN Design/Specification
1(LSICMO120E0yy0 Manufacturing Facility/Minor Design 08/Jun/2020)
HTML Datasheet
1(LSIC1MO120E0160 Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 1020
Prezzo unitario: $7.65529
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 510
Prezzo unitario: $8.346
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 120
Prezzo unitario: $9.20942
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $9.785
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $12.09
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-