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GermanyF423MR12W1M1B11BOMA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
F423MR12W1M1B11BOMA1
DESCRIZIONE
LOW POWER EASY
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module Trench Full Bridge 1200 V 50 A 20 mW Chassis Mount AG-EASY1BM-2
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
F423MR12W1M1B11BOMA1 Models
PACCHETTO STANDARD
24
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
EasyPACK™
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
Trench
Configuration
Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Power - Max
20 mW
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
-
Input Capacitance (Cies) @ Vce
3.68 nF @ 800 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
AG-EASY1BM-2
Base Product Number
F423MR12
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
448-F423MR12W1M1B11BOMA1
SP001710600
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies F423MR12W1M1B11BOMA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(F4-23MR12W1M1_B11)
Featured Product
1(Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs and Diodes)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev LDD Update 9/Jan/2023)
EDA Models
1(F423MR12W1M1B11BOMA1 Models)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $156.18
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-