Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSP149L6906HTSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
660mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET Feature
Depletion Mode
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-21
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

INFINFBSP149L6906HTSA1
SP000089215
BSP149 L6906-ND
BSP149L6906XT
BSP149L6906HTSA1TR
2156-BSP149L6906HTSA1-ITTR
BSP149 L6906

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSP149L6906HTSA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(BSP149)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSP149)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : BSP149H6327XTSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 25,014
Prezzo unitario. : $1.38000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : BSP149H6906XTSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 55
Prezzo unitario. : $1.36000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent