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GermanyIRLIZ34NPBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRLIZ34NPBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 22A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
IRLIZ34NPBF Models
PACCHETTO STANDARD
2,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
37W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB Full-Pak
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
IRLIZ34
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
*IRLIZ34NPBF
SP001573820
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLIZ34NPBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRLIZ34NPbF)
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Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Design Resources
1(IRLIZ34N Saber Model)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRLIZ34NPbF)
EDA Models
1(IRLIZ34NPBF Models)
Simulation Models
1(IRLIZ34N Spice Model)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRLIZ34GPBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 2,359
Prezzo unitario. : $2.56000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 2,359
Prezzo unitario. : $2.56000
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