Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPD09N03LA G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1642 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
63W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Package / Case
-
Base Product Number
OPD09N

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

IPD09N03LAGXTINTR-ND
IPD09N03LAGINTR
IPD09N03LAGINTR-NDR
IPD09N03LAINCT
IPD09N03LAINCT-ND
IPD09N03LAGBUMA1
IPD09N03LAG
IPD09N03LAGXTINCT
IPD09N03LAGXTINTR
IPD09N03LAINTR
SP000017536
IPD09N03LA
IPD09N03LAGINCT
IPD09N03LAINTR-ND
IPD09N03LAGXTINCT-ND
IPD09N03LAGXT
IPD09N03LAGINCT-NDR

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD09N03LA G

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPx09N03LA G)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPx09N03LA G)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IPD090N03LGATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 94,216
Prezzo unitario. : $0.76000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : FDD8880
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 13,967
Prezzo unitario. : $0.89000
Tipo sostitutivo. : Similar