Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFK14N100Q
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 1000V 14A TO264AA
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1000 V 14A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
360W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-264AA (IXFK)
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Base Product Number
IXFK14

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFK14N100Q

Documenti e supporti

PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : APT22F120L
Produttore. : Microchip Technology
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $15.42000
Tipo sostitutivo. : Similar