English
Spain
Rusia
China
GermanyFGA50N100BNTTU
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FGA50N100BNTTU
DESCRIZIONE
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT NPT and Trench 1000 V 50 A 156 W Through Hole TO-3P
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FGA50N100BNTTU Models
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
IGBT Type
NPT and Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 60A
Power - Max
156 W
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Gate Charge
257 nC
Td (on/off) @ 25°C
34ns/243ns
Test Condition
600V, 60A, 10Ohm, 15V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P
Base Product Number
FGA50
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/onsemi FGA50N100BNTTU
Documenti e supporti
Datasheets
1(FGA50N100BNT)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 27/Feb/2012)
HTML Datasheet
1(FGA50N100BNT)
EDA Models
1(FGA50N100BNTTU Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : GT50N322A
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 2
Prezzo unitario. : $4.68000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 2
Prezzo unitario. : $4.68000
Tipo sostitutivo. : Direct