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GermanyAFT26HW050GSR3-NXP
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
AFT26HW050GSR3-NXP
DESCRIZIONE
RF MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 28 V 100 mA 2.496GHz ~ 2.69GHz 14.2dB 9W NI-780S-4L4L-8
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
LDMOS (Dual)
Configuration
2 N-Channel
Frequency
2.496GHz ~ 2.69GHz
Gain
14.2dB
Voltage - Test
28 V
Current Rating (Amps)
1µA
Noise Figure
-
Current - Test
100 mA
Power - Output
9W
Voltage - Rated
65 V
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
NI-780S-4L4L-8
Supplier Device Package
NI-780S-4L4L-8
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Altri nomi
2156-AFT26HW050GSR3-NXP
NXPNXPAFT26HW050GSR3
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. AFT26HW050GSR3-NXP
Documenti e supporti
Datasheets
1(AFT26HW050SR3)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 3
Prezzo unitario: $115.45
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 3
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 3
Sostituti
-