Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BUK9E2R3-40E,127
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 40 V 120A (Tc) 293W (Tc) Through Hole I2PAK
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50

Specifiche tecniche

Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
87.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13160 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
293W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
BUK9

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

BUK9E2R340E127
934066413127
568-9871-5
NEXNXPBUK9E2R3-40E,127
2156-BUK9E2R3-40E127-NX

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. BUK9E2R3-40E,127

Documenti e supporti

Datasheets
1(BUK9E2R3-40E)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(MCU Dip Supply Situation 12/May/2015)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(BUK9E2R3-40E)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : AUIRFSL8407
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 2,000
Prezzo unitario. : $8.53000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IPI120N04S402AKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 500
Prezzo unitario. : $3.04000
Tipo sostitutivo. : Similar