Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQPF11P06
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 60 V 8.6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FQPF11P06 Models
PACCHETTO STANDARD
50

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
FQPF11

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

FQPF11P06FS
FQPF11P06-ND

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQPF11P06

Documenti e supporti

Datasheets
1(FQPF11P06)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Assembly/Origin
1(Assembly/Test 17/Nov/2023)
PCN Packaging
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
EDA Models
1(FQPF11P06 Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : SPP15P10PLHXKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.77000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended
Parte n. : IRFI9Z34GPBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 455
Prezzo unitario. : $2.98000
Tipo sostitutivo. : Similar