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GermanyIRFS4229PBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFS4229PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 250 V 45A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4560 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-IRFS4229PBF
SP001576214
INFINFIRFS4229PBF
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFS4229PBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRFS4229PBF)
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PCN Design/Specification
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PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(IRFS4229PBF)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
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Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 171
Prezzo unitario. : $6.87000
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Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 9,690
Prezzo unitario. : $4.32000
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