IXFD80N10Q-8XQ

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

IXFD80N10Q-8XQ

DESCRIZIONE

MOSFET N-CHANNEL 100V DIE

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

N-Channel 100 V Die

PRODUTTORE

IXYS

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

STOCK FORNITORI

>>>Clicca per controllare<<<

Specifiche tecniche

Mfr

IXYS

Series

HiPerFET™

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Vgs (Max)

-

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

-

Operating Temperature

150°C (TJ)

Mounting Type

-

Supplier Device Package

Die

Package / Case

Die

Base Product Number

IXFD80N10Q

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFD80N10Q-8XQ

Documenti e supporti

PCN Obsolescence/ EOL

1(Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-

87621121 1812Y5000151KXT NYP2C-30350-15WC1000 ESQT-132-02-L-Q-600 FW-30-05-F-D-384-100

IXFD80N10Q-8XQ

Panoramica del numero di parte

Specifiche tecniche

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altri nomi

Categoria

Documenti e supporti

Quantità Prezzo

Sostituti

Prodotti simili