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GermanyBSM100GB120DN2HOSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSM100GB120DN2HOSA1
DESCRIZIONE
IGBT MOD 1200V 150A 800W
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module Half Bridge 1200 V 150 A 800 W Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Power - Max
800 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)
2 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
6.5 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM100
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
BSM100GB120DN2
SP000100720
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies BSM100GB120DN2HOSA1
Documenti e supporti
-
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FF200R12KE4HOSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 36
Prezzo unitario. : $129.79000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended
Quantità disponibile. : 36
Prezzo unitario. : $129.79000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended