Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
RN1117(T5L,F,T)
DESCRIZIONE
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
RN1117(T5L,F,T) Models
PACCHETTO STANDARD
3,000

Specifiche tecniche

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - Transition
250 MHz
Power - Max
100 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-75, SOT-416
Supplier Device Package
SSM
Base Product Number
RN1117

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Altri nomi

RN1117 (T5L,F,T)
RN1117(T5LFT)TR
RN1117(T5LFT)CT
RN1117T5LFT
RN1117(T5LFT)DKR

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage RN1117(T5L,F,T)

Documenti e supporti

Datasheets
1(RN1114,5,6,7,8)
EDA Models
1(RN1117(T5L,F,T) Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : RN1117MFV,L3F
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 7,900
Prezzo unitario. : $0.17000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : DDTC114WE-7-F
Produttore. : Diodes Incorporated
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.05870
Tipo sostitutivo. : Similar