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GermanyBSS192PH6327XTSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSS192PH6327XTSA1
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
104 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT89
Package / Case
TO-243AA
Base Product Number
BSS192
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSS192PH6327XTSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSS192P)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(BSS192P)
Simulation Models
1(OptiMOS™ Power MOSFET 250V P-Channel Spice Model)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : BSS192PH6327FTSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 22,503
Prezzo unitario. : $0.62000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 22,503
Prezzo unitario. : $0.62000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent