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GermanySQJQ900E-T1_GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SQJQ900E-T1_GE3
DESCRIZIONE
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 40V 100A (Tc) 75W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
18 Weeks
MODELLO EDACAD
SQJQ900E-T1_GE3 Models
PACCHETTO STANDARD
2,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5900pF @ 20V
Power - Max
75W
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Base Product Number
SQJQ900
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SQJQ900E-T1_GE3DKR
SQJQ900E-T1_GE3TR
SQJQ900E-T1_GE3CT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix SQJQ900E-T1_GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SQJQ900E Datasheet)
HTML Datasheet
1(SQJQ900E Datasheet)
EDA Models
1(SQJQ900E-T1_GE3 Models)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 6000
Prezzo unitario: $1.11685
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 2000
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 2000
QUANTITÀ: 2000
Prezzo unitario: $1.16048
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 2000
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 2000
Sostituti
-