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China
Germany2SC2274E-AA
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SC2274E-AA
DESCRIZIONE
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 120MHz 600 mW Through Hole 3-MP
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
5,323
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 5V
Power - Max
600 mW
Frequency - Transition
120MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Supplier Device Package
3-MP
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
ONSONS2SC2274E-AA
2156-2SC2274E-AA
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SC2274E-AA
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 5323
Prezzo unitario: $0.06
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 5323
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 5323
Sostituti
-