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GermanySPP80N06S2-07
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SPP80N06S2-07
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 68A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4540 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SPP80N
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-SPP80N06S2-07-IT
INFINFSPP80N06S2-07
SP000013579
SPP80N06S207
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP80N06S2-07
Documenti e supporti
Datasheets
1(SP(I,P,B)80N06S2-07)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SP(I,P,B)80N06S2-07)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
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Produttore. : Diodes Incorporated
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Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 1,000
Prezzo unitario. : $3.48000
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Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 177
Prezzo unitario. : $1.45000
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