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GermanyBCR191WE6327HTSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BCR191WE6327HTSA1
DESCRIZIONE
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT323
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
200 MHz
Power - Max
250 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
PG-SOT323
Base Product Number
BCR191
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
BCR191WE6327HTSA1TR
SP000012275
BCR 191W E6327-ND
BCR 191W E6327
BCR191WE6327
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Infineon Technologies BCR191WE6327HTSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(BCR191)
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Quantità Prezzo
-
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