English
Spain
Rusia
China
GermanyBSZ0804LSATMA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSZ0804LSATMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
BSZ0804LSATMA1 Models
PACCHETTO STANDARD
5,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 36µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8 FL
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
BSZ0804
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP001648318
448-BSZ0804LSATMA1DKR
448-BSZ0804LSATMA1CT
448-BSZ0804LSATMA1TR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSZ0804LSATMA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSZ0804LS)
EDA Models
1(BSZ0804LSATMA1 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : ISZ0804NLSATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 6,385
Prezzo unitario. : $1.44000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended
Quantità disponibile. : 6,385
Prezzo unitario. : $1.44000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended