English
Spain
Rusia
China
Germany2N5015
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2N5015
DESCRIZIONE
TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 1000 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA
PRODUTTORE
Microsemi Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Power - Max
1 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Supplier Device Package
TO-5AA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
150-2N5015
2N5015-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Microsemi Corporation 2N5015
Documenti e supporti
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 9/Jul/2018)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-