Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FDG312P
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FDG312P Models
PACCHETTO STANDARD
1,649

Specifiche tecniche

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
750mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-88 (SC-70-6)
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Classificazioni ambientali e di esportazione

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001

Altri nomi

2156-FDG312P
FAIFSCFDG312P

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDG312P

Documenti e supporti

Datasheets
1(FDG312P Datasheet)
EDA Models
1(FDG312P Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 1649
Prezzo unitario: $0.18
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1649

Sostituti

-